- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18467 > IRLR120 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRLR120 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 4.6A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 490pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLR120 |
IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Vary t p to obtain
required I AS
R g
V DS
L
D.U.T
I AS
+
-
V DD
V DS
t p
V DS
V DD
5.0 V
t p
0.01 Ω
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Current regulator
Same type as D.U.T.
V GS
Q G
12 V
0.2 μF
50 k Ω
0.3 μF
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
-
V DS
V G
Charge
V GS
3 mA
I G
I D
Current sampling resistors
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
S13-0167-Rev. D, 04-Feb-13
6
Document Number: 91324
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EVA-NF4R15Y14 | POT 10K OHM SLIDE 100MM MONO FAD |
| P13SMNFGS472MA | POT 4.7K OHM 1.5W 20% SEALED |
| P13SMNFGS102MA | POT 1K OHM 1.5W 20% SEALED |
| FXO-HC530-24.576 | OSC 24.576 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 3549H-2AA-103/103A | POT 10K OHM 7/8" RD HYBRITRON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR120A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLR120ATF | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR120ATM | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR120N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) |
| IRLR120NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Rail/Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。