参数资料
型号: IRLR120
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 270 毫欧 @ 4.6A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRLR120
IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120
www.vishay.com
R g
V GS
V DS
Vishay Siliconix
R D
D.U.T.
+
- V DD
5.0 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
S13-0167-Rev. D, 04-Feb-13
5
Document Number: 91324
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PDF描述
EVA-NF4R15Y14 POT 10K OHM SLIDE 100MM MONO FAD
P13SMNFGS472MA POT 4.7K OHM 1.5W 20% SEALED
P13SMNFGS102MA POT 1K OHM 1.5W 20% SEALED
FXO-HC530-24.576 OSC 24.576 MHZ 3.3V HCMOS SMD
3549H-2AA-103/103A POT 10K OHM 7/8" RD HYBRITRON
相关代理商/技术参数
参数描述
IRLR120A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
IRLR120ATF 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR120ATM 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR120N 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
IRLR120NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Rail/Tube