- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录449 > IRLR120NTRR (International Rectifier)MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRLR120NTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 185 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR/U120N
Tape & Reel Information
TO-252AA
TR
1 6.3 ( .6 41 )
1 5.7 ( .6 19 )
TRR
TRL
16 .3 ( .64 1 )
15 .7 ( .61 9 )
12 .1 ( .4 7 6 )
11 .9 ( .4 6 9 )
F E E D D IR E C T IO N
8 .1 ( .3 18 )
7 .9 ( .3 12 )
F E E D D IR E C T IO N
NOTES :
1 . C O N T R O LL IN G D IM E N S IO N : M ILL IM E T E R .
2 . A LL D IM E N S IO N S A R E S H O W N IN M ILL IM E T E R S ( IN C H E S ).
3 . O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -4 81 & E IA -54 1.
1 3 IN C H
16 m m
NO TES :
1. O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -4 81 .
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T 3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: 171 (K&H Bldg.) 30-4 Nishi-ikebukuro 3-chome, Toshima-ku, Tokyo Japan Tel: 81 33 983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 16907 Tel: 65 221 8371
Data and specifications subject to change without notice. 5/98
10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR120TRR | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK |
| IRLR2703TRR | MOSFET N-CH 30V 23A DPAK |
| IRLR2705TR | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK |
| IRLR2905TRR | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| IRLR3103TRR | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR120NTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRLR120PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR120TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR120TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR120TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。