- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录449 > IRLR120NTRR (International Rectifier)MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRLR120NTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 185 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR/U120N
800
V GS
=
0V , f = 1M H z
15
I D = 6.0A
600
C is s
C iss
C rss
C oss
=
=
=
C gs + C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C ds + C gd
12
V D S = 80V
V D S = 50V
V D S = 20V
9
400
C os s
6
200
C rs s
3
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
5
10
S E E FIG U R E 13
15 20
25
A
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE D
B Y R D S (on)
10μ s
10
1
T J = 175°C
T J = 25°C
10
1
100μ s
1m s
10 m s
T J
0.1
V G S = 0V
A
0.1
T C = 25°C
= 175°C
S ingle P ulse
A
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
1000
4
V S D , S ource-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR120TRR | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK |
| IRLR2703TRR | MOSFET N-CH 30V 23A DPAK |
| IRLR2705TR | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK |
| IRLR2905TRR | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| IRLR3103TRR | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR120NTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRLR120PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR120TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR120TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR120TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。