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参数资料
| 型号： | IRLR120NTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 185 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR/U120N
Package Outline
TO-251AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
6.73 (.265)
6.35 (.250)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
-A-
1.27 (.050)
0.88 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LE A D A S S IG N M E N T S
4
6.45 (.245)
5.68 (.224)
1 - GATE
2 - D R A IN
3 - SOURCE
1.52 (.060)
1.15 (.045)
6.22 (.245)
5.97 (.235)
4 - D R A IN
-B-
1
2
3
N O TE S :
1 D IM E N S IO N IN G & TO LE R A N C IN G P E R A N S I Y 14.5M , 1982.
2.28 (.090)
1.91 (.075)
9.65 (.380)
8.89 (.350)
2 C O N T R O LLIN G D IM E N S IO N : IN C H .
3 C O N F O R M S TO J E D E C O U T LIN E T O -252A A .
4 D IM E N S IO N S S H O W N A R E B E F O R E S O LD E R D IP ,
S O LD E R D IP M A X. +0.16 (.006).
3X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
2.28 (.090)
2X
0.25 (.010)
M A M B
0.58 (.023)
0.46 (.018)
Part Marking Information
TO-251AA (I-PARK)
E X A M P L E : T H IS IS A N IR F U 1 2 0
W IT H A S S E M B L Y
LO T C OD E 9U 1P
IN T E R N A T IO N A L
R E C TIF IE R
LO GO
IR F U
120
F IR S T P O R T IO N
OF PART NUMBER
www.irf.com
ASSEMBLY
LOT CODE
9U
1P
S E C O N D P O R T IO N
OF PART NUMBER
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR120TRR | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK |
| IRLR2703TRR | MOSFET N-CH 30V 23A DPAK |
| IRLR2705TR | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK |
| IRLR2905TRR | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| IRLR3103TRR | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR120NTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRLR120PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR120TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR120TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR120TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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