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参数资料
| 型号： | IRLR3715ZCTRLP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 49A DPAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 49A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.55V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 810pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLR3715ZCTRLPDKR |
IRLR/U3715ZCPbF
50
2.5
Limited By Package
40
2.0
30
20
10
1.5
I D = 250μA
0
1.0
25
50
75
100
125
150
175
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
T C , Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
10
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
τ C
1
0.20
0.10
0.05
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
R 4
R 4
τ 4
τ 4
τ
Ri (°C/W)
1.1512
2.2284
0.3256
τ i (sec)
0.000082
0.000897
0.053599
0.1
0.02
Ci= τ i / Ri
Ci= i / Ri
0.0448
0.074119
0.01
P DM
t 1
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
t 2
1. Duty factor D =
t 1 / t
2
0.01
2. Peak T
J = P DM x Z thJC
+T C
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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PDF描述 |
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