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参数资料
| 型号： | IRLR8503PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
IRLR8503PbF
PD- 95095A
IRLR8503PbF
?
?
?
?
N-Channel Application-Specific MOSFET
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
Low Conduction Losses
Minimizes Parallel MOSFETs for high current
HEXFET ? MOSFET for DC-DC Converters
D
applications
? Lead-Free
Description
This new device employs advanced HEXFET Power
MOSFET technology to achieve very low on-resistance.
G
The reduced conduction losses makes it ideal for high
efficiency DC-DC converters that power the latest
generation of microprocessors.
S
D-Pak
The IRLR8503 has been optimized and is 100% tested for
all parameters that are critical in synchronous buck
converters including R DS(on) , gate charge and Cdv/dt-
induced turn-on immunity. The IRLR8503 offers an
DEVICE RATINGS (MAX. Values)
IRLR8503PbF
extremely low combination of Q sw & R DS(on) for reduced
losses in control FET applications.
The package is designed for vapor phase, infra-red,
convection, or wave soldering techniques. Power
dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB
mount application.
Absolute Maximum Ratings
V DS
R DS (on)
Q G
Q sw
Q oss
30V
18 m ?
20 nC
8 nC
29.5 nC
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
IRLR8503
30
±20
Units
V
Continuous Drain or Source
Current (V GS ≥ 10V) ?
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation ?
T C = 25°C
T C = 90°C
T C = 25°C
I D
I DM
P D
44
32
196
62
A
W
T C = 90°C
30
Junction & Storage Temperature Range
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed source Current ?
T J , T STG
I S
I SM
–55 to 150
15
196
°C
A
Thermal Resistance
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient ?
Maximum Junction-to-Lead
www.irf.com
Symbol
R θ JA
R θ JL
Max.
50
2.0
Units
°C/W
°C/W
1
12/06/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1D10-1515/P | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-15VOUT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR8503TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8503TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRLR8503TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8503TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8503TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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