- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17638 > IRLR8503PBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 44A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRLR8503PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
IRLR8503PbF
Typical Characteristics
2.5
ID = 15A
VGS = 4.5V
IRLR8503
6.0
ID = 15A
VDS = 20V
2.0
4.0
1.5
2.0
1.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0
4
8
12
16
T J , Junction Temperature ( °C )
Figure 8. Normalized On-Resistance vs. Temperature
QG, Total Gate Charge (nC)
Figure 9. Gate-to-Source Voltage vs. Typical Gate
Charge
0.015
0.014
2500
2000
V GS
C iss
C rss
C oss
=
=
=
=
0V, f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
Cis s
0.013
1500
0.012
0.011
ID = 15A
1000
500
Coss
0.010
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0 11.0 12.0
0
1
Crss
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Figure 10. Typical Rds(on) vs. Gate-to-Source Voltage
Figure 11. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
100
1000.0
100.0
T J = 150°C
10.0
T J = 25°C
VDS = 15V
1.0
20μs PULSE WIDTH
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Figure 12. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1D10-1515/P | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-15VOUT |
| TC4422AVMF713 | IC MOSFET DRVR 9A N-INV 8DFN |
| R1D10-1512/P | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-12VOUT |
| TC4421AVMF713 | IC MOSFET DRIVER 9A INV 8DFN |
| 3266X-1-100LF | TRIMMER 10 OHM 0.25W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR8503TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8503TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRLR8503TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8503TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8503TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。