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参数资料
| 型号： | IRLR8503TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLR8503PBFDKR |
IRLR8503PbF
Electrical Characteristics
Parameter
Drain-to-Source
Breakdown Voltage*
Static Drain-Source
on Resistance*
Gate Threshold Voltage*
Drain-Source Leakage Current
Symbol
V (BR)DSS
R DS (on)
V GS (th)
I DSS
Min
30
–
–
1.0
–
Typ
–
11
13
–
Max
–
16
18
30*
Units
V
m ?
V
μA
Conditions
V GS = 0V, I D = 250μA
V GS = 10V, I D =15A ?
V GS = 4.5V, I D =15A
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 24V, V GS = 0
–
–
150
V DS = 24V, V GS = 0,
Tj = 100°C
Gate-Source Leakage Current*
I GSS
–
–
±100
nA
V GS = ±12V
Total Gate Charge Control FET*
Total Gate Charge Sync FET*
Pre-Vth
Gate-Source Charge
Post-Vth
Gate-Source Charge
Gate to Drain Charge
Switch Charge* (Q gs2 + Q gd )
Output Charge*
Gate Resistance
Turn-on Delay Time
Q g
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q SW
Q oss
R g
t d (on)
–
–
–
–
–
–
–
–
–
15
13
3.7
1.3
4.1
5.4
23
1.7
10
20
17
–
–
–
8
29.5
–
–
nC
?
V GS = 5V, I D = 15A, V DS =16V,
V GS = 5V, V DS < 100mV
V DS = 16V, I D = 15A
V DS = 16V, V GS = 0
V DD = 16V, I D = 15A
Drain Voltage Rise Time
Turn-off Delay Time
Drain Voltage Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
tr v
t d (off)
tf v
C iss
C oss
C rss
–
–
–
–
–
–
18
11
3
1650
650
58
–
–
–
–
–
–
ns
pF
V GS = 5V
Clamped Inductive Load
See test diagram Fig 14.
V DS = 25V, V GS = 0
Source-Drain Rating & Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Diode Forward Voltage*
Reverse Recovery Charge ?
V SD
Q rr
–
–
76
1.0
V
nC
I S = 15A ? , V GS = 0V
di/dt = 700A/μs
V DS = 16V, V GS = 0V, I S = 15A
Reverse Recovery Charge
(with Parallel Schottky) ?
Q rr(s)
–
67
di/dt = 700A/μs
(with 10BQ040)
V DS = 16V, V GS = 0V, I S = 15A
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 300 μs; duty cycle ≤ 2%.
? When mounted on 1 inch square copper board, t < 10 sec.
? Typ = measured - Q oss
? Calculated continuous current based on maximum allowable
Junction temperature; switching and other losses will
decrease RMS current capability; package limitation
*
2
Devices are 100% tested to these parameters.
current = 20A.
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32672L1153J000 | CAP FILM 0.015UF 1.6KVDC RADIAL |
| HCM49-13.500MABJ-UT | CRYSTAL 13.500 MHZ 18PF SMD |
| HCM49-11.0592MABJ-UT | CRYSTAL 11.0592 MHZ 18PF SMD |
| HCM49-8.000MABJ-UT | CRYSTAL 8.000 MHZ 18PF SMD |
| HCM49-3.579545MABJ-UT | CRYSTAL 3.579545 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRLR8503TRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8711CPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 25 V 68 W 13 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA |
| IRLR8713PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 25V D-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 25V 100A DPAK |
| IRLR8715CPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 51A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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