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参数资料
| 型号： | IRLR8715CPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 51A DPAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 51A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.4 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 830pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 44W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1522 (CN2011-ZH PDF) |
IRLR8715CPbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
25
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
?Β V DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
17
–––
mV/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
7.5
9.4
m ?
V GS = 10V, I D = 21A
–––
11.8
14.8
V GS = 4.5V, I D = 17A
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
I DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
1.35
–––
–––
1.9
-7.0
–––
2.35
–––
1.0
V
mV/°C
μA
V DS = V GS , I D = 25μA
V DS = 20V, V GS = 0V
–––
–––
150
V DS = 20V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
–––
–––
46
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6.9
1.6
1.2
2.5
1.6
3.7
3.2
100
-100
–––
10
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nA
S
nC
nC
V GS = 20V
V GS = -20V
V DS = 13V, I D = 17A
V DS = 13V
V GS = 4.5V
I D = 17A
See Fig.16
V DS = 10V, V GS = 0V
R G
t d(on)
t r
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
–––
–––
–––
2.2
7.2
32
3.8
–––
–––
?
V DD = 13V, V GS = 4.5V
I D = 17A
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
7.5
3.9
830
220
120
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
Clamped Inductive Load
V GS = 0V
V DS = 13V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
–––
–––
–––
27
17
4.4
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
51
MOSFET symbol
(Body Diode)
A
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
200
integral reverse
(Body Diode)
p-n junction diode.
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
7.8
4.9
1.0
12
7.4
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 17A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 17A, V DD = 13V
di/dt = 300A/μs
t on
2
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLR8721PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 8.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR8721TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR8726PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR8726PBF_09 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLR8726TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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