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参数资料
| 型号： | IRLR8715CPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 51A DPAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 51A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.4 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 830pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 44W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1522 (CN2011-ZH PDF) |
IRLR8715CPbF
26
120
24
22
20
I D = 21A
100
TOP
BOTTOM
ID
4.1A
6.7A
17A
18
16
80
60
14
12
10
8
TJ = 125°C
TJ = 25°C
40
20
6
2.0
4.0 6.0 8.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
10.0
0
25
50 75 100 125 150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
175
Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage
15V
Fig 13. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
V (BR)DSS
tp
VDS
L
DRIVER
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
I AS
Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit
L D
Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms
V DS
V GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
D.U.T
+
V DD -
V DS
90%
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
6
Fig 15a. Switching Time Test Circuit
Fig 15b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLS640A | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F |
| IRLTS6342TRPBF | MOSF N CH 30V 8.3A TSOP6 |
| IRLZ14STRRPBF | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK |
| IRLZ14 | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB |
| IRLZ24NSTRR | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR8721PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 8.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR8721TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR8726PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR8726PBF_09 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLR8726TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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