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参数资料
| 型号： | IRLS640A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 4.9A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1705pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | IRLS640A-ND IRLS640AFS |
!
V
GS
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Top :
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
10 1
10 1
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
150 o C
10 0
25 o C
@ Notes :
10 0
10 - 1
10 0
@ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T = 25 o C
C
10 1
10 - 1
0
2
- 55 o C
4
1. V GS = 0 V
2. V DS = 40 V
3. 250 μ s Pulse Test
6 8
10
0.4
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
0.3
V GS = 5 V
10 1
0.2
10 0
@ Note : T J = 25 C
25 C
0.1
V GS = 10 V
o
150 o C
o
@ Notes :
1. V GS = 0 V
2. 250 μ s Pulse Test
0.0
0
20
40
60
80
10 - 1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I D , Drain Current [A]
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
2000
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
1600
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
6
V DS = 40 V
V DS = 100 V
1200
4
V DS = 160 V
800
C oss
@ Notes :
400
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
@ Notes : I D = 18 A
0 0
10
10
1
0
0
10
2 0
30
40
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
IRLS640A Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLTS6342TRPBF | MOSF N CH 30V 8.3A TSOP6 |
| IRLZ14STRRPBF | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK |
| IRLZ14 | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB |
| IRLZ24NSTRR | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK |
| IRLZ34NL | MOSFET N-CH 55V 30A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLSG5653 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INTEGRATED SWITCHER |
| IRLSL3034PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLSL3036PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLSL4030PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLSZ14A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
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