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参数资料
| 型号： | IRLS640A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 4.9A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1705pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | IRLS640A-ND IRLS640AFS |
!
(continued)
1.2
1.1
1.0
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
2.0
1.5
1.0
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
0.9
@ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
@ Notes :
1. V GS = 5 V
2. I D = 9 A
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
-75
-50
2
-5
0
25
50
75
100
2
15
5
10
7
15
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 9. Max. Safe Operating Area
Operation in This Area
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
20
10 2
is Limited by R DS(on)
1 ms
100 μ s
15
10 1
DC
10 ms
10
@ Notes :
10 0
1. T C = 25 o C
2. T J = 150 o C
3. Single Pulse
5
10 - 1 0
10
2
10 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
25
50
75 100
T c , Case Temperature [ o C]
12 5
15 0
Fig 11. Thermal Response
10 0
D=0.5
@ Notes :
0.2
1. Z θ J C (t)=1.14
o
C/W Max.
3. T J M -T C =P D M *Z
10 - 1
0.1
0.05
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
(t)
θ JC
P DM
0.02
0.01
single pulse
t 1
t 2
10 - 2 - 5
10
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
10 0
10 1
t 1 , Square Wave Pulse Duration
[sec]
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
IRLS640A Rev. C0
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLTS6342TRPBF | MOSF N CH 30V 8.3A TSOP6 |
| IRLZ14STRRPBF | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK |
| IRLZ14 | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB |
| IRLZ24NSTRR | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK |
| IRLZ34NL | MOSFET N-CH 55V 30A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLSG5653 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INTEGRATED SWITCHER |
| IRLSL3034PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLSL3036PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLSL4030PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLSZ14A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
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