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参数资料
| 型号： | IRLU024NPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | IRLU024NPBF |
IRLR/U024NPbF
6
www.irf.com
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
0
20
40
60
80
100
120
140
25
50
75
100
125
150
175
J
E
,
S
in
gl
ePu
ls
eAv
al
anc
he
E
ner
gy
(m
J)
AS
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V
= 25V
I
TOP
4.5A
7.8A
BOTTOM 11A
DD
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU4343PBF | 26 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| IRU1117CS | 800mA LOW DROPOUT POSITIVE ADJUSTABLE REGULATOR |
| IS28F002BVT-80TI | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 110 ns, PDSO40 |
| IS28F020-12PLI | 256K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 |
| IS41LV44004-50JI | 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLU024PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLU024Z | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRLU024ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 16A 3PIN IPAK - Rail/Tube |
| IRLU024ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 16A 58mOhm 6.6nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLU034A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-251AA |
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