参数资料
型号: IRLU110
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 10/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
产品目录绘图: IR(F,L)U Series Side 1
IR(F,L)U Series Side 2
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 540 毫欧 @ 2.6A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: TO-251AA
包装: 管件
其它名称: *IRLU110
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR DPAK (TO-252)
0.224
(5.690)
0.180
(4.572)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
0.055
(1.397)
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Document Number: 72594
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
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PDF描述
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B32520C1154K289 FILM CAP 0.1500UF 10% 100V
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参数描述
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