参数资料
型号: IRLU110
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 6/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
产品目录绘图: IR(F,L)U Series Side 1
IR(F,L)U Series Side 2
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 540 毫欧 @ 2.6A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: TO-251AA
包装: 管件
其它名称: *IRLU110
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110
Vishay Siliconix
Vary t p to obtain
required I AS
R g
V DS
L
D.U.T
I AS
+
-
V DD
V DS
t p
V DS
V DD
5.0 V
t p
0.01 Ω
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Current regulator
Same type as D.U.T.
V GS
Q G
12 V
0.2 μF
50 k Ω
0.3 μF
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
-
V DS
V G
Charge
V GS
3 mA
I G
I D
Current sampling resistors
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
www.vishay.com
6
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Document Number: 91323
S10-1139-Rev. C, 17-May-10
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PDF描述
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参数描述
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