- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18474 > IRLU110 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRLU110 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK |
| 产品目录绘图： | IR(F,L)U Series Side 1 IR(F,L)U Series Side 2 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 540 毫欧 @ 2.6A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TO-251AA |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLU110 |
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110
Vishay Siliconix
Peak Dio d e Recovery d V/ d t Test Circuit
D.U.T.
+
Circuit layout con s ideration s
? Low s tray inductance
? G round plane
? Low leakage inductance
current tran s former
-
+
-
-
+
R g
?
?
?
?
dV/dt controlled by R g
Driver s ame type a s D.U.T.
I S D controlled by duty factor “D”
D.U.T. - device under te s t
+
-
V DD
Driver gate drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V GS = 10 V a
D.U.T. l S D waveform
Rever s e
recovery
current
Body diode forward
current
dI/dt
D.U.T. V D S waveform
Diode recovery
Re-applied
dV/dt
V DD
voltage
Inductor current
Body diode forward drop
Ripple ≤ 5 %
I S D
Note
a. V GS = 5 V for logic level device s
Fig. 14 - For N-Channel
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?91323 .
Document Number: 91323
S10-1139-Rev. C, 17-May-10
www.vishay.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AML22CBT2CD | SWITCH PUSHBUTTON 4PDT 3A 125V |
| CSA309-10.240MABJ-UB | CRYSTAL 10.240 MHZ 18PF CYL |
| ABLJO-V-80.000MHZ-T | OSC VCXO 80.000 MHZ 3.3V SMD |
| AML22CBS2CD | SWITCH PUSHBUTTON 4PDT 3A 125V |
| B32520C1154K289 | FILM CAP 0.1500UF 10% 100V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLU110A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLU110ATU | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLU110PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLU111 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251 |
| IRLU120 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 7.7A 3PIN IPAK - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。