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参数资料
| 型号： | IRLU2905 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLU2905 Q853121 |
IRLR/U2905
500
TO P
I D
1 0A
17 A
1 5V
400
B OTTOM
25A
VDS
L
D R IV E R
300
RG
D .U .T
IA S
+
-
VD D
A
200
20V
tp
0 .0 1 ?
100
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
0
V D D = 25 V
A
25
50
75
100
125
150
175
V (B R )D SS
S tarting T J , J unc tion T em perature (°C )
tp
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
V G
Q GS
Q GD
V GS
3mA
D.U.T.
+
V
6
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU3103 | MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK |
| AT078A | SW CAP SCREW-ON .315" RND BLACK |
| MB2011SB3G03-BE | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| AT078G | CAP SCREW ON .315" DIA BLUE POLY |
| AT405F | ROCKER GREEN FOR MLW SERIES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLU2905HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
| IRLU2905PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 42A;I-Pak (TO-251AA);PD 110W 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 42A 3PIN IPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 36A I-PAK |
| IRLU2905Z | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLU2905ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLU2908 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
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