型号: | IRLZ34 |
厂商: | NXP Semiconductors N.V. |
英文描述: | N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor |
中文描述: | N沟道增强型晶体管逻辑电平TrenchMOS |
文件页数: | 5/7页 |
文件大小: | 62K |
代理商: | IRLZ34 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRLZ34N | N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor |
IRLZ34NL | HEXFET Power MOSFET |
IRLZ34 | HEXFET POWER MOSFET |
IRLZ34NS | HEXFET Power MOSFET |
IRM3000 | Optoelectronic |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRLZ34_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRLZ34A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
IRLZ34L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRLZ34LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRLZ34N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |