参数资料
型号: IRLZ34NS
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 880pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: *IRLZ34NS
IRLZ34NS/L
V DS
L
250
TO P
I D
6 .6A
1 1A
R G
D.U.T.
+
200
B O TTO M
16 A
- DD
V
5.0 V
t p
I AS
0.01 ?
150
100
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
50
V (BR)DSS
0
V D D = 25 V
A
25
50
75
100
125
150
175
V DS
t p
V DD
S tarting T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
5.0 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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PDF描述
ECH-U1H471JB5 CAP FILM 470PF 50VDC 0805
ECH-U1H272JB5 CAP FILM 2700PF 50VDC 0805
ECH-U1H332JB5 CAP FILM 3300PF 50VDC 1206
EB2061P-B-J21A SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V
B32529C3154K289 CAP FILM 0.15UF 250VDC RADIAL
相关代理商/技术参数
参数描述
IRLZ34NSL 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET?? Power MOSFET
IRLZ34NSPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLZ34NSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes
IRLZ34NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRLZ34NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube