参数资料
型号: IRS2004SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/15页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF BRIDGE 200V 8SOIC
标准包装: 95
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 680ns
电流 - 峰: 290mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 200V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
IRS2004(S) PbF
1400
1200
1400
1200
1000
800
600
Max .
1000
800
600
Max.
Typ.
400
200
0
Typ .
400
200
0
-5 0
-2 5
0
25
50
75
100 125
10
12
14
16
18
20
Temperature (°C)
Figure 6A. Turn-On Time vs. Temperature
1000
Max .
800
600
Typ .
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 6B. Turn-On Time vs. Supply Voltage
500
400
300
400
200
0
200
100
0
Max.
Typ.
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Input Voltage (V)
Figure 6C. Turn-On Time vs. Input Voltage
500
400
Temperature (°C)
Figure 7A. Turn-Off Time vs. Temperature
1000
800
300
Max.
600
200
100
0
Typ.
400
200
0
Ma x .
Typ
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12 14
16 18
20
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 7B. Turn-Off Time vs. Supply Voltage
www.irf.com
Input Voltage (V)
Figure 7C. Turn-Off Time vs. Input Voltage
6
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IRS2011PBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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IRS2011STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube