- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17558 > IRS2004SPBF (International Rectifier)IC DRIVER HALF BRIDGE 200V 8SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRS2004SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE 200V 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 680ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 200V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IRS2004(S) PbF
500
400
500
400
300
300
Max.
200
100
Max.
Typ.
200
100
Typ.
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
10
12
14
16
18
20
Temperature (°C)
Figure 8A. Shutdown Time vs. Temperature
500
400
300
500
400
300
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 8B. Shutdown Time vs. Voltage
200
Max.
200
Max.
100
0
Typ.
100
0
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
VBIAS Supply Voltage (V)
MAX
200
150
Temperature (°C)
Figure 9A. Turn-On Rise Time
vs. Temperature
200
150
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 9B. Turn-On Rise Time vs. Voltage
100
Max.
100
Max.
50
0
Typ.
50
0
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature (°C)
Figure 10A. Turn-Off Fall Time
vs. Temperature
www.irf.com
Input Voltage (V)
Figure 10B. Turn-Off Fall Time
vs. Input Voltage
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XVC-01 | POWER CHASSIS 1000W 6 SLOT |
| XQB-00 | POWER CHASSIS 900W 6 SLOT |
| IRS2003SPBF | IC DRIVER HALF BRIDGE 200V 8SOIC |
| XBA-01 | POWER CHASSIS 400W 6 SLOT |
| IRS2153DSTRPBF | IC DVR HALF BRIDG SELF OSC 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2004SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC |
| IRS2004STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Half Brdg Drvr w/ Hi&Lw Side Outpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2011PBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2011SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 200V 60ns 1.0A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2011STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。