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参数资料
| 型号： | IRS2011PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HI/LO SIDE 8-PDIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 60ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 200V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
IRS2011(S)PbF
100
80
60
100
80
60
40
20
0
Max.
Typ.
40
20
0
Max.
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature
( o C)
V BIAS Supply Voltage (V)
50
40
Fiure 4A. Turn-On Rise Time
vs.Temperature
50
40
Figure 4B. Turn-On Rise Time
vs. Supply Voltage
30
20
10
0
Max.
Typ.
30
20
10
0
Max.
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
www.irf.com
Temperature ( o C)
Figure 5A. Turn-Off Fall Time
vs. Temperature
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 5B. Turn-Off Fall Time
vs. Supply Voltage
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2101SPBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC |
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| IRS210614SPBF | IC DVR HIGH/LOW SIDE 14-SOIC |
| IRS2106SPBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2011SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 200V 60ns 1.0A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2011STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS20124S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DIGITAL AUDIO DRIVER WITH DISCRETE DEAD-TIME AND PROTECTION |
| IRS20124SPBF | 功能描述:功率驱动器IC DIGITAL AUDIO DRVR 200V 1A 60ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS20124STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Dig Aud Drvr w/Deadtime & Prot RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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