参数资料
型号: IRS2103SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/14页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF-BRIDGE HV 8-SOIC
标准包装: 95
配置: 半桥
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 680ns
电流 - 峰: 290mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
产品目录页面: 1382 (CN2011-ZH PDF)
IRS2103(S)PbF
500
400
300
500
400
300
Max.
Typ.
200
100
0
Max.
Typ.
200
100
0
Max.
Typ.
10
12
14
16
18
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-25
0
25
50
75
100
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10
12
14
16
18
20
Temperature ( C)
200
150
o
Figure 6A. Turn-On Rise Time
vs. Temperature
200
150
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 6B. Turn-On Rise Time
vs. Voltage
100
Max.
100
Max.
50
Typ.
50
Typ.
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
10
12
14
16
18
20
Temperature ( C)
1400
1200
o
Figure 7A. Turn-Off Fall Time
vs. Temperature
Input Voltage (V)
Figure 7B. Turn-Off Fall Time vs. Voltage
1400
1200
1000
1000
Max.
800
Max.
800
600
400
200
0
Ty p.
Min.
600
400
200
0
Typ.
Min.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
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20
Temperature ( o C)
Figure 8A. Deadtime vs. Temperature
www.irf.com
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 8B. Deadtime vs. Voltage
7
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IRS2104PBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Sngl + Invrt ShutDwn Pin RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2104SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 680ns 130mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2104STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Sngl + Invrt ShutDwn Pin RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2104STRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述: