参数资料
型号: IRS2103SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 9/14页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF-BRIDGE HV 8-SOIC
标准包装: 95
配置: 半桥
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 680ns
电流 - 峰: 290mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
产品目录页面: 1382 (CN2011-ZH PDF)
IRS2103(S)PbF
0.5
0.4
0.3
0.2
0.5
0.4
0.3
0.2
Max.
0.1
Max.
0.1
0.0
Typ.
0
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( C)
o
Figure 12A. Low Level Output Voltage
vs. Temperature
500
400
300
200
500
400
300
200
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 12B. Low Level Output Voltage
vs. Supply Voltage
100
0
Max.
100
0
Max.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
200
400
600
800
150
120
90
Temperature ( o C)
Figure 13A. Offset Supply Current
vs. Temperature
VB Boost Voltage (V)
Figure 13B. Offset Supply Current vs. Voltage
150
120
90
60
Max.
60
Max.
30
0
Typ.
30
0
Ty p.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( o C)
Figure 14A. V BS Supply Current
vs. Temperature
www.irf.com
VBS Floating Supply Voltage (V)
Figure 14B. V BS Supply Current vs. Voltage
9
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IRS2104PBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Sngl + Invrt ShutDwn Pin RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2104SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 680ns 130mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2104STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Sngl + Invrt ShutDwn Pin RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2104STRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述: