参数资料
型号: IRS2106SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 17/25页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
标准包装: 95
配置: 高端和低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 220ns
电流 - 峰: 290mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
产品目录页面: 1382 (CN2011-ZH PDF)
IRS2106/IRS21064(S)PbF
140
120
100
140
120
100
140 V
80
60
140 V
70 V
0 V
80
60
70 V
0 V
40
40
20
20
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Frequency (kHz)
Figure 25. IRS2106 vs. Frequency (IRFBC30),
R gate =22 ? , V CC =15 V
Frequency ( k Hz)
Figure 26. IRS2106 vs. Frequency (IRFBC40),
R gate =15 ? , V CC =15 V
140
120
100
80
140 V 70 V
0 V
140
120
100
80
60
40
20
60
40
20
140 V
70 V
0 V
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Frequency ( k Hz)
Figure 27. IRS2106 vs. Frequency (IRFPE50),
R gate =10 ? , V CC =15 V
www.irf.com
Frequency ( k Hz)
Figure 28. IRS21064 vs. Frequency (IRFBC20),
R gate =33 ? , V CC =15 V
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参数描述
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IRS21084PBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Sft Trn On 540-5000ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21084SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21084STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Sft Trn On 540-5000ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2108PBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Soft Trn On Sngl 540ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube