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参数资料
| 型号： | IRS21091PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HALF BRIDGE 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 750ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
IRS21091(S)PbF
7
6
5
5
M ax.
Typ.
4
4
3
2
M in.
3
2
Min.
1
0
0
50
100
150
200
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
5
(k ? )
R DT (K ? )
Figure 11C. Deadtime vs. R DT
6
Temperature (°C)
Figure 12A. Logic “1” Input Volt age
vs. Temperatu re
4
5
4
Max
3
2
Min.
3
2
1
1
10
12
14
16
18
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 12B. Logic “1” Input Voltage
vs. Supply Voltage
www.irf.com
Temperature (°C)
Figure 13A. Logic "0" Input Bias Current
vs. Temperature
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RPM40-480512TG | CONV DC/DC 40W 36-75VIN 5 +/-12V |
| AUIRS2112STR | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC |
| 3292P-1-502 | TRIMMER 5K OHM 0.5W TH |
| RPM40-243.3SGW | CONV DC/DC 40W 9-36VIN 3.3VOUT |
| 3292P-1-202 | TRIMMER 2K OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRS21091STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21094PBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Sft Trn On Sngl Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21094SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21094STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Sft Trn On Sngl Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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