参数资料
型号: IRS21091PBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 13/20页
文件大小: 0K
描述: IC DVR HALF BRIDGE 8-DIP
标准包装: 50
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 750ns
电流 - 峰: 290mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
IRS21091(S)PbF
500
400
300
200
400
300
200
Max.
100
Typ.
100
Max.
0
Min.
0
0
100
200 300 400
V B Boost Voltage (V)
500
600
-50
-25
0
25 50
Temperature ( o C)
75
100
125
F igure 17B. Offset Supply Leakage Current
vs. Boost Voltage
400
300
3.0
2.5
Figure 18A. V BS Supply Current vs.
Temperature
2.0
M ax.
200
1.5
100
Max.
Typ.
Min.
1.0
0.5
Typ.
M in.
0
10
12
14
16
18
20
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Supply Voltage (V)
Figure 18B. V BS Supply Current vs. Supply
Voltage
www.irf.com
Temperature ( o C)
Figure 19A. V CC Supply Current
vs. Temperature
13
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PDF描述
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IRS21091STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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IRS21094SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21094STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Sft Trn On Sngl Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube