- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17249 > IRS2123STRPBF (International Rectifier)IC DVR HI SIDE 600V 500MA 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRS2123STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 11/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HI SIDE 600V 500MA 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 140ns |
| 电流 - 峰： | 500mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2123STRPBFDKR |
IRS2123S, IRS2124S
Parameter Temperature Trends
500
400
300
200 M ax.
500
400
300
200
M ax.
100
0
T yp
100
0
T y p.
-50
-25
0
25
50
75
100 125
10
12
14
16
18
20
500
400
300
Temperature ( o C)
Figure 1A. Turn-on Delay Time
vs. Temperature
V B I A S Supply Voltage (V)
Figure 1B. Turn-on Delay Time
vs. Supply Voltage
500
400
300
200
M ax .
100
T yp.
200
100
M ax
T yp
0
-50
-25
0 25 50 75
Temperature ( o C)
100
125
0
10
12
14 16
V B I A S Supply Volt age (V)
18
20
800
700
600
500
400
Figure 2A. Turn-Off Time vs.
Temperature
800
700
600
500
400
Figure 2B. Turn-Off Time vs.
Supply Voltage
0
300
200 M ax .
100
T y p.
300
200
100
0
M ax .
T y p.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( o C)
Fiure 3A. Turn-On Rise Time (VBS=17V)
vs.Temperature
www.irf.com
11
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 3B. Turn-On Rise Time
(VBS=17V)
? 2008 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASPI-0804T-101M-T | INDUCTOR POWER 100UH 0804 SMD |
| PR2003-T | DIODE FAST REC 2A 200V DO-15 |
| PR1002G-T | DIODE FAST REC 1A 100V DO-41 |
| IRDC3842 | BOARD EVAL SYNC BUCK CONVERTER |
| 21020-2750 | CABLE FLAT FLEX 5" .50MM 50 POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2124SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 500mA 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2124STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Indstrl Non-Invrt Hi Sd Drvr 600V 250mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21271PBF | 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21271SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21271STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。