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参数资料
| 型号： | IRS2123STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HI SIDE 600V 500MA 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 140ns |
| 电流 - 峰： | 500mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2123STRPBFDKR |
IRS2123S, IRS2124S
Absolute Maximum Ratings
Absolute Maximum Ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All
voltage parameters are absolute voltages referenced to GND, all currents are defined positive into any
lead. This is a stress only rating and operation of the device at these or any conditions exceeding those
indicated in the operational sections of this specification is not implied
Symbol
V BS
V B
V S
V H O
V CC
V IN
V RES
dV/dt
T J
T S
Definition
High Side Floating Supply Voltage
High Side Driver Output Stage Voltage
High Side Floating Supply Offset Voltage
Output Voltage Gate Connection
Supply Voltage
Input Voltage
Reset Input Voltage
Allowable Offset Voltage Slew Rate
Junction Temperature
Storage Temperature
Min.
-0.3
-0.3
V B - 25
V S – 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-50
-55
-55
Max.
25
625
V B + 0.3
V B + 0.3
25
V CC + 0.3
V CC + 0.3
50
150
150
Units
V
V
V
V
V
V
V
V/nsec
oC
Recommended Operating Conditions
For proper operations the device should be used within the recommended conditions.
Symbol Definition Min. Max.
Units
V B
High Side Driver Output Stage Voltage
-10V Transient 0.4 us
V S +10 V S +20
V
V S
V H O
High Side Floating Supply Offset Voltage
-25V Transient 0.4 μs
Output Voltage Gate Connection
?
V S
600
V B
V
V
V CC
Supply Voltage 10 20
V
V IN
V RES
Input Voltage 0
Reset Input Voltage 0
V CC
V CC
V
V
T A
Ambient Temperature (f s <60kHz, V BS =14V,
C load =2,5nF, R=50Ohm)
-40 125
oC
?
Logic operational for V S of -5 to +600 V. Logic state held for V S of -5 V to – V BS.
(Please refer to the Design Tip DT97-3 for more details).
www.irf.com
5
? 2008 International Rectifier
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRS2124STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Indstrl Non-Invrt Hi Sd Drvr 600V 250mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21271PBF | 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21271SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21271STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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