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参数资料
| 型号： | IRS2123STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 13/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HI SIDE 600V 500MA 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 140ns |
| 电流 - 峰： | 500mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2123STRPBFDKR |
IRS2123S, IRS2124S
140
120
240
200
100
80
60
40
20
M ax .
T yp.
160
120
80
40
M AX.
TYP.
0
-50
-25
0
25 50 75
Temperature ( o C)
100
125
0
-50
-25
0
25 50 75
Temperature ( o C)
100
125
Figure 7A. VBS Supply Current
vs. Temperature
1000
800
600
Figure 8A. VBS Supply Current
vs. Temperature
1000
800
600
400
200
0
M ax.
T yp.
400
200
0
M a x .
T yp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( C)
o
Figure 9A. Vcc Supply Current
vs. Temperature
16
14
12
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 9B. Vcc Supply Current
vs. Supply Voltage
16
14
12
10
M ax.
10
8
T yp.
8
Max.
TYP.
6
M i n.
6
MIN.
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
www.irf.com
Temperat ur e ( o C)
Figure 10A. Vcc Supply Undervoltage
Threshold (+) vs. Temperature
13
Temperat ur e ( o C)
Figure 10B. Vcc Supply Undervoltage
Threshold (-) vs. Temperature
? 2008 International Rectifier
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRS21271SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21271STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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