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参数资料
| 型号： | IRS2184STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HALF BRIDGE 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 680ns |
| 电流 - 峰： | 1.9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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Data Sheet No. PD60252 revA
IRS2184 / IRS21844(S)PbF
Features
· Floating channel designed for bootstrap operation
· Fully operational to +600 V
· Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
· Gate drive supply range from 10 V to 20 V
· Undervoltage lockout for both channels
· 3.3 V and 5 V input logic compatible
· Matched propagation delay for both channels
· Logic and power ground +/- 5 V offset
· Lower di/dt gate driver for better noise immunity
· Output source/sink current capability 1.4 A/1.8 A
· RoHS compliant
Description
HALF-BRIDGE DRIVER
Packages
8-Lead PDIP
IRS2184
14-Lead PDIP
IRS21844
14-Lead SOIC
IRS21844S
8-Lead SOIC
IRS2184S
The IRS2184/IRS21844 are high volt-
age, high speed power MOSFET and
Featur e Comparison
IGBT drivers with dependent high- and
low-side referenced output channels.
Proprietary HVIC and latch immune
CMOS technologies enable ruggedized
monolithic construction. The logic in-
put is compatible with standard CMOS
or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The
output drivers feature a high pulse cur-
Part
2181
21814
2183
21834
2184
21844
Input
logic
HIN/LIN
HIN/LIN
IN/SD
Cross-
conduction
prevention
logic
no
yes
yes
Deadtime
(ns)
none
Internal 400
Program 400-5000
Internal 400
Program 400-5000
Ground Pins
COM
V SS /COM
COM
V SS/ COM
COM
V SS /COM
t on /t off
(ns)
180/220
180/220
680/270
rent buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an
N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600 V.
Typical Connection
V CC
up to 600 V
V CC
V B
IN
IN
HO
SD
SD
COM
V S
LO
TO
LOAD
up to 600 V
IRS2184
HO
IRS21844
V CC
V CC
V B
(Refer to Lead Assignments for correct
IN
SD
IN
SD
DT
V S
TO
LOAD
configuration).These diagrams show
electrical connections only. Please refer
to our Application Notes and DesignTips
V SS
R DT
V SS
COM
LO
for proper circuit board layout.
www.irf.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95S474M035EZAL | CAP TANT 0.47UF 35V 20% 1507 |
| IRS21851STRPBF | IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8-SOIC |
| T95S474K035EZAL | CAP TANT 0.47UF 35V 10% 1507 |
| T95Z685M035EZSL | CAP TANT 6.8UF 35V 20% 2910 |
| FCN2416G123J-D2 | CAP FILM 0.012UF 400VDC 2416 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS21850SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 1 IC 10V TO 20V 3.3V 5.5V HIGH SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21850STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd Drvr IC 600V Single RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21851SPbF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 1 IC 10V TO 20V 3.3V 5.5V HIGH SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21851SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Driver IC 制造商:International Rectifier 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8 |
| IRS21851STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd Drvr IC 600V Single RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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