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参数资料
| 型号： | IRS2184STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HALF BRIDGE 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 680ns |
| 电流 - 峰： | 1.9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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IRS2184/IRS21844(S)PbF
Tolerant to Negative V S Transients
A common problem in today’s high-power switching converters is the transient response of the switch
node’s voltage as the power switches transition on and off quickly while carrying a large current. A typical
half bridge circuit is shown in Figure 6; here we define the power switches and diodes of the inverter.
If the high-side switch (e.g., Q1 in Figures 7 and 8) switches off, while the phase current is flowing to a
load, a current commutation occurs from high-side switch (Q1) to the diode (D2) in parallel with the low-
side switch of the same inverter leg. At the same instance, the voltage node V S1 , swings from the positive
DC bus voltage to the negative DC bus voltage.
DC+ BUS
Q1
D1
Input
Voltage
Q2
DC- BUS
V S
D2
To
Load
DC+ BUS
Figure 6: Half Bridge Circuit
DC+ BUS
Q1
ON
V S 1
I U
Q1
OFF
V S1
D1
I U
Q2
D2
Q2
D2
OFF
DC- BUS
Figure 7: Q1 conducting
OFF
DC- BUS
Figure 8: D2 conducting
Also when the phase current flows from the load back to the inverter (see Figures 9 and 10), and Q4
switches on, the current commutation occurs from D3 to Q4. At the same instance, the voltage node, V S2 ,
swings from the positive DC bus voltage to the negative DC bus voltage.
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95S474M035EZAL | CAP TANT 0.47UF 35V 20% 1507 |
| IRS21851STRPBF | IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8-SOIC |
| T95S474K035EZAL | CAP TANT 0.47UF 35V 10% 1507 |
| T95Z685M035EZSL | CAP TANT 6.8UF 35V 20% 2910 |
| FCN2416G123J-D2 | CAP FILM 0.012UF 400VDC 2416 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS21850SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 1 IC 10V TO 20V 3.3V 5.5V HIGH SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21850STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd Drvr IC 600V Single RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21851SPbF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 1 IC 10V TO 20V 3.3V 5.5V HIGH SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21851SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Driver IC 制造商:International Rectifier 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8 |
| IRS21851STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd Drvr IC 600V Single RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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