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参数资料
| 型号： | IRS21853SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR DUAL HIGH SIDE 16-SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 170ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
Data Sheet No. PD60294
IRS21853SPBF
DUAL HIGH SIDE DRIVER IC
Features
? Gate drive supply range from 10 V to 20 V
Product Summary
?
?
?
?
?
Under voltage lockout for V CC & V BS1,2
5 V input logic compatible
Tolerant to negative transient voltage
Matched propagation delays for all channels
RoHS compliant
V OFFSET
V OUT
t on /t off (typ)
I o+/-
600 V max
10 V to 20 V
170 ns/170 ns
2 A/2 A
Descriptions
The IRS21853 is a high voltage, high speed power
MOSFET and IGBT dual high-side driver with propagation
delay matched output channels. Proprietary HVIC and
latch immune CMOS technologies enable ruggedized
monolithic construction. The
floating logic input is
Delay Matching
Package
40 ns
compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to
3.3 V logic and can be operated up to 600 V above the
ground. The output driver features a high pulse current
buffer stage designed for minimum driver cross-
conduction. The floating channel can be used to drive an
N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side
configuration, which operates up to 600 V.
16-Lead SOIC (narrow body )
Typical Connection Diagram
1
2
V B1
HO1
16
15
+V D C 1
3
4
5
VCC
COM
H IN 1
V S1
IR S21853
S O N 16
14
13
12
6
7
8
H IN 2
V S2
HO2
V B2
11
10
9
+VD C 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRS2127S | IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC |
| NRS5014T4R7NMGG | INDUCTOR 4.7UH 1.8A 30% SMD |
| UB215KKW016CF-3JB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 5A 125V |
| AUIRS2123STR | IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8SOIC |
| IPC1SAD6 | SWITCH PUSHBUTTON SPST 2A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS21853STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Dual Hi Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21856SPBF | 功能描述:功率驱动器IC High Dual Low Side 600V 4.5V 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21856STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Ramp Slope Cntrl Driver Hi Volt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21858SPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hig Dual Side DRVR 600V 290mA 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21858STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Dual Drvr IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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