参数资料
型号: IRS21853SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 10/17页
文件大小: 0K
描述: IC DVR DUAL HIGH SIDE 16-SOIC
标准包装: 45
配置: 高端
输入类型: 非反相
延迟时间: 170ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 2
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC N
包装: 管件
IRS21853SPBF
60
40
20
60
40
20
Typ.
Typ.
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
10
12
14
16
18
20
6
5
4
Temperature ( o C)
Figure 6A. Turn-Off Fall Tim e
vs. Tem perature
6
5
4
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 6B. Turn-Off Fall Tim e
vs. Supply Voltage
3
Mi n.
3
2
1
2
1
Min.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
4
3
2
Temperature ( o C)
Figure 7A. Logic "1" Input Voltage
vs. Tem perature
4
3
2
V cc Supply Voltage (V)
Figure 7B. Logic "1" Input Voltage
vs. Supply Voltage
1
0
Max.
1
0
Max
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( C)
o
Figure 8A. Logic "0" Input Voltage
vs. Tem perature
V cc Supply Voltage (V)
Figure 8B. Logic "0" Input Voltage
vs. Supply Voltage
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PDF描述
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参数描述
IRS21853STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Dual Hi Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21856SPBF 功能描述:功率驱动器IC High Dual Low Side 600V 4.5V 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21856STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Ramp Slope Cntrl Driver Hi Volt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21858SPBF 功能描述:功率驱动器IC Hig Dual Side DRVR 600V 290mA 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21858STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Dual Drvr IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube