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参数资料
| 型号： | IRS21853SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR DUAL HIGH SIDE 16-SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 170ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
IRS21853SPBF
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur.
parameters are absolute voltages referenced to COM.
All voltage
Symbol
V CC
V IN
V B1,2
V S1,2
V HO1,2
dV S /dt
P D
R θ JA
T J
T S
T L
Definition
Low side supply voltage
Logic input voltage (HIN1,2)
High side floating well supply voltage
High side floating well supply return voltage
Floating gate drive output voltage
Allowable V S1,2 offset supply transient relative to COM
Package power dissipation @ T A ≤ +25 oC
Thermal resistance, junction to ambient
Junction temperature
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 seconds)
Min
-0.3
COM-0.3
-0.3
V B1,2 -20
V S1,2 -0.3
-
-
-
-55
-
Max
20 (Note1)
V CC +0.3
620 (Note1)
V Bn +0.3
V Bn +0.3
50
1.25
100
150
300
Units
V
V/ns
W
oC/W
oC
Note1:
All supplies are fully tested at 25 V. An internal 20 V clamp exists for each supply.
Recommended Operating Conditions
For proper operation, the device should be used within the recommended conditions. All voltage parameters are absolute
voltages referenced to COM. The offset rating are tested with supplies of (V CC -COM)=(V B1,2 -V S1,2 )=15 V.
Symbol
V CC
V IN
V B1,2
V S1,2
V HO1,2
T A
Definition
Low side supply voltage
HIN1, 2 input voltage
High side floating well supply voltage
High side floating well supply offset voltage
Floating gate drive output voltage
Ambient temperature
Min
10
COM
V S1,2 +10
Note 2
V S1,2
-40
Max
20
VCC
V S1,2 +20
600
V B1,2
125
Units
V
oC
Note 2:
Note 3:
V S1,2 and V B1,2 voltages will be tolerant to short negative transient spikes. These will be defined and specified in
the future.
Logic operation for V S of –5 V to 600 V. Logic state held for V S of –5 V to –V BS1,2 . (Please refer to Design Tip
DT97-3 for more details).
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRS2127S | IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC |
| NRS5014T4R7NMGG | INDUCTOR 4.7UH 1.8A 30% SMD |
| UB215KKW016CF-3JB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 5A 125V |
| AUIRS2123STR | IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8SOIC |
| IPC1SAD6 | SWITCH PUSHBUTTON SPST 2A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS21853STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Dual Hi Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21856SPBF | 功能描述:功率驱动器IC High Dual Low Side 600V 4.5V 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21856STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Ramp Slope Cntrl Driver Hi Volt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21858SPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hig Dual Side DRVR 600V 290mA 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21858STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Dual Drvr IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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