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参数资料
| 型号： | IRS2330DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 21/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
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IRS233(0,2)(D)(S&J)PbF
Figure 25: Parasitic Elements
Figure 26: V S positive
Figure 27: V S negative
In a typical motor drive system, dV/dt is typically designed to be in the range of 3-5 V/ns. The negative V S transient voltage
can exceed this range during some events such as short circuit and over-current shutdown, when di/dt is greater than in
normal operation.
International Rectifier’s HVICs have been designed for the robustness required in many of today’s demanding applications. An
indication of the IRS233(0,2)(D)’s robustness can be seen in Figure 28, where there is represented the IRS233(0,2)(D) Safe
Operating Area at V BS =15V based on repetitive negative V S spikes. A negative V S transient voltage falling in the grey area
(outside SOA) may lead to IC permanent damage; viceversa unwanted functional anomalies or permanent damage to the IC
do not appear if negative Vs transients fall inside SOA.
At V BS =15V in case of -V S transients greater than -16.5 V for a period of time greater than 50 ns; the HVIC will hold by design
the high-side outputs in the off state for 4.5 μs.
Figure 28: Negative V S transient SOA for IRS233(0,2)(D)
Even though the IRS233(0,2)(D) has been shown able to handle these large negative V S transient conditions, it is highly
recommended that the circuit designer always limit the negative V S transients as much as possible by careful PCB layout and
component use.
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM11DREH | CONN EDGECARD 22POS .156 EYELET |
| RBA10DRMD | CONN EDGECARD 20POS .125 SQ WW |
| 22R155C | INDUCTOR RADIAL 1.5MH 0.13A |
| IRS2332SPBF | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC |
| EBM08DCWT | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2330DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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