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参数资料
| 型号： | IRS2330DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 32/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
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IRS233(0,2)(D)(S&J)PbF
706
20
606
506
406
Exp.
15
10
5
306
0
-50
Exp.
p.
-25
0
25
50
75
100
125
206
-5
-10
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-15
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-20
Temperature ( o C)
Fig. 68. Output Low Short Circuit Pulsed
Current vs. Temperature
200
180
160
140
120
Temperature ( o C)
Fig. 69. Offset Opamp vs. Temperature
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Exp.
100
80
60
40
20
0
Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( o C)
Fig. 70. Operational Amplifier Power Supply
Rejection Ratio vs. Temperature
5.6
5.5
5.4
Temperature ( o C)
Fig. 71. Operational Amplifier Common Mode
Rejection Ratio vs. Temperature
35
30
25
5.3
20
5.2
Exp.
5.1
5.0
4.9
4.8
Exp.
15
10
5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( o C)
Fig. 72. Operational Amplifier High Level Output
Voltage vs. Temperature
www.irf.com
Temperature ( o C)
Fig. 73. Operational Amplifier Low Level
Output Voltage vs. Temperature
32
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM11DREH | CONN EDGECARD 22POS .156 EYELET |
| RBA10DRMD | CONN EDGECARD 20POS .125 SQ WW |
| 22R155C | INDUCTOR RADIAL 1.5MH 0.13A |
| IRS2332SPBF | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC |
| EBM08DCWT | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2330DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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