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参数资料
| 型号： | IRS2330DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 25/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
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IRS233(0,2)(D)(S&J)PbF
Integrated Bootstrap FET limitation
The integrated Bootstrap FET functionality has an operational limitation under the following bias conditions applied to the
HVIC:
?
?
VCC pin voltage = 0V AND
VS or VB pin voltage > 0
In the absence of a VCC bias, the integrated bootstrap FET voltage blocking capability is compromised and a current
conduction path is created between VCC & VB pins, as illustrated in Fig.38 below, resulting in power loss and possible
damage to the HVIC.
Figure 38: Current conduction path between VCC and VB pin
Relevant Application Situations:
The above mentioned bias condition may be encountered under the following situations:
?
?
In a motor control application, a permanent magnet motor naturally rotating while VCC power is OFF. In this
condition, Back EMF is generated at a motor terminal which causes high voltage bias on VS nodes resulting
unwanted current flow to VCC.
Potential situations in other applications where VS/VB node voltage potential increases before the VCC
voltage is available (for example due to sequencing delays in SMPS supplying VCC bias)
Application Workaround:
Insertion of a standard p-n junction diode between VCC pin of IC and positive terminal of VCC capacitors (as illustrated in
Fig.39) prevents current conduction “out-of” VCC pin of gate driver IC. It is important not to connect the VCC capacitor
directly to pin of IC. Diode selection is based on 25V rating or above & current capability aligned to ICC consumption of IC
- 100mA should cover most application situations. As an example, Part number # LL4154 from Diodes Inc (25V/150mA
standard diode) can be used.
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM11DREH | CONN EDGECARD 22POS .156 EYELET |
| RBA10DRMD | CONN EDGECARD 20POS .125 SQ WW |
| 22R155C | INDUCTOR RADIAL 1.5MH 0.13A |
| IRS2332SPBF | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC |
| EBM08DCWT | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2330DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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