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参数资料
| 型号： | IRS2332DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
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IRS233(0,2)(D)(S&J)PbF
Application Information and Additional Details
Information regarding the following topics are included as subsections within this section of the datasheet.
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IGBT/MOSFET Gate Drive
Switching and Timing Relationships
Deadtime
Matched Propagation Delays
Input Logic Compatibility
Undervoltage Lockout Protection
Shoot-Through Protection
Fault Reporting
Over-Current Protection
Over-Temperature Shutdown Protection
Truth Table: Undervoltage lockout, ITRIP
Advanced Input Filter
Short-Pulse / Noise Rejection
Integrated Bootstrap Functionality
Bootstrap Power Supply Design
Separate Logic and Power Grounds
Negative V S Transient SOA
DC- bus Current Sensing
PCB Layout Tips
Integrated Bootstrap FET limitation
Additional Documentation
IGBT/MOSFET Gate Drive
The IRS233(2,0)(D) HVICs are designed to drive up to six MOSFET or IGBT power devices. Figures 1 and 2 illustrate several
parameters associated with the gate drive functionality of the HVIC. The output current of the HVIC, used to drive the gate of
the power switch, is defined as I O . The voltage that drives the gate of the external power switch is defined as V HO for the high-
side power switch and V LO for the low-side power switch; this parameter is sometimes generically called V OUT and in this case
does not differentiate between the high-side or low-side output voltage.
V B
(or V CC )
HO
I O+
V B
(or V CC )
HO
(or LO)
V S
+
V HO (or V LO )
-
(or LO)
V S
I O-
(or COM)
Figure 1: HVIC sourcing current
www.irf.com
(or COM)
Figure 2: HVIC sinking current
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2334SPBF | IC MOSFET DRIVER |
| IRS2453DPBF | IC DRIVER FULL SELF OSC 14-DIP |
| IRS25091SPBF | IC MOSFET DRIVER |
| IRS2509SPBF | IC MOSFET DRIVER |
| IRS26072DSPBF | IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2332DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332JPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Ph Bridge Driver 600V 200mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 200mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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