参数资料
| 型号： | IRSF3010S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FET SMART SW 50V 11A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 70 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 14A |
| 电流 - 峰值输出： | 20A |
| 电源电压： | 1.5 V ~ 10 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 155°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRSF3010S |
Provisional Data Sheet No.PD-6.0027A
IRSF3010
FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
General Description:
Rating Summary:
The IRSF3010 is a three terminal monolithic
SMART POWER MOSFET with built in short cir-
cuit, over-temperature, ESD and over-voltage pro-
tections.
The on chip protection circuit latches off the
POWER MOSFET in case the drain current ex-
ceeds 14A (typical) or the junction temperature ex-
ceeds 165°C (typical) and keeps it off until the
input is driven low. The drain to source voltage
is actively clamped at 55V (typical), prior to the
V ds(clamp)
R ds(on)
I ds(sd)
T j(sd)
E AS
50 V
80 m ?
11 A
155 ° C
400 mJ
avalanche of POWER MOSFET, thus improving
its performance during turn off with inductive
loads.
The input current requirements are very low
(300uA) which makes the IRSF3010 compatible with
most existing designs based on standard
POWER MOSFETs.
Applications:
n DC Motor Drive
n Solenoid Driver
Drain
Features:
n Extremely Rugged for Harsh Operating
Environments
n Over Temperature Protection
n Over Current Protection
n Active Drain to Source Clamp
n ESD Protection
n Compatible with standard POWER
MOSFET
n Low Operating Input Current
n Monolithic Construction
n Dual set/reset Threshold Input
Pin Assignment
Pin 1 - Input
Tab
Pin 2 - Drain
Pin 3 - Source
Tab - Drain
IRSF3010
1
2
3
IRSF3010S
IRSF3010 - Block Diagram
Source
Available Packages
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRSF3011LTR | IC DRIVER LO SIDE 50V 5A SOT-223 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRSF3011S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252VAR |
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