参数资料
| 型号： | IRSF3010S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FET SMART SW 50V 11A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 70 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 14A |
| 电流 - 峰值输出： | 20A |
| 电源电压： | 1.5 V ~ 10 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 155°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRSF3010S |
IRSF3010
Absolute Maximum Ratings
Absolute Maximum Ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. (Tc =
25°C unless otherwise specified.)
Symbol
Vds, max
Vin, max
Ids
Parameter Definition
Continuous Drain to Source Voltage
Continuous Input Voltage
Continuous Drain Current
Min.
—
-0.3
—
Max.
50
10
self limited
Units Test Conditions
V
Pd
EAS
Vesd1
Vesd2
T Jop
Power Dissipation
Linear Derating Factor for Tc > 25 ° C
Unclamped Single Pulse Inductive Energy
Electrostatic Discharge Voltage (Human Body Model)
(Machine Model)
Junction Temperature
—
—
—
—
—
-55
40
0.33
400
4000
1000
self-limited
W
W/°C
mJ
V
Tc ≤ 25°C
1000pF. 1.5k ?
200pF, 0 ?
T Stg
T L
Storage Temperature
Lead Temperature (Soldering, 10 seconds)
-55
—
175
300
o
C
Static Electrical Characteristics
(Tc = 25°C unless otherwise specified.)
Symbol
Parameter Definition
Min. Typ. Max. Units
Test Conditions
Vds,clamp
Rds(on)
Drain to Source Clamp Voltage
Drain to Source On Resistance
50
—
—
—
54
56
70
85
—
62
80
—
V
m ?
Ids = 10mA
Ids = 11A, tp = 700 μ S
Vin = 5V, Ids = 4A
Vin = 4V, Ids = 4A
—
53
—
Vin = 10V, I ds = 4A
Idss
Drain to Source Leakage Current
—
—
—
—
—
10
10
100
250
μ A
Vds = 12V, Vin = 0V
Vds = 50V, Vin = 0V
Vds =40V,Vin=0V,Tc =150 o C
Vth
I i, on
Ii, off
Input Threshold Voltage
Input Supply Current (Normal Operation)
Input Supply Current (Protection Mode)
1.5
—
—
—
2.0
0.25
0.35
0.5
2.5
0.6
0.85
1.0
V
mA
Vds = 5V, Ids = 1mA
Vin = 5V
Vin = 10V
Vin = 5V
—
0.6
1.2
Vin = 10V
Vin, clamp Input Clamp Voltage
Vsd Body-Drain Diode Forward Drop ?
10
—
10.8
1.2
—
1.5
V
Iin = 10mA
Ids = -17A, Rin = 1k ?
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter Definition
Min. Typ. Max. Units
Test Conditions
R Θ jc
R Θ jA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
—
—
3.0
60
—
—
°C/W
°C/W
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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