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参数资料
| 型号： | IS61C67-L20N |
| 厂商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K的× 1高速CMOS静态RAM |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | IS61C67-L20N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61C67-L25N | 16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61DDB21M36-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61DDB22M18 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61DDB22M18-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61DDB41M36-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61C67-L25N | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61C81 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| IS61D | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Sensor Inductive NPN NO |
| IS61DDB21M18A-300B4L | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb, DDR II CIO Sync静态随机存取存储器,1Mx18 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61DDB21M18A-300M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 1Mx18 165ball RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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