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参数资料
| 型号： | IS61LPD25636A-200B3I |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 16/32页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | IS61LPD25636A-200B3I |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
23
Rev. B
12/13/06
IS61VPD25636A, IS61VPD51218A, IS61LPD25636A, IS61LPD51218A
ISSI
TAP Electrical Characteristics Over the Operating Range(1,2)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Units
VOH1
Output HIGH Voltage
IOH = –2.0 mA
1.7
—
V
VOH2
Output HIGH Voltage
IOH = –100 A
2.1
—
V
VOL1
Output LOW Voltage
IOL = 2.0 mA
—
0.7
V
VOL2
Output LOW Voltage
IOL = 100 A
—
0.2
V
VIH
Input HIGH Voltage
1.7
VDD +0.3
V
VIL
Input LOW Voltage
–0.3
0.7
V
IX
Input Load Current
Vss
≤ V I ≤ VDDQ
–5
5
mA
Notes:
1. All Voltage referenced to Ground.
2. Overshoot: VIH (AC)
≤ VDD +1.5V for t
≤ tTCYC/2,
Undershoot:VIL (AC)
≤ 0.5V for t ≤ tTCYC/2,
Power-up: VIH < 2.6V and VDD < 2.4V and VDDQ < 1.4V for t < 200 ms.
TAP AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1,2) (OVER OPERATING RANGE)
Symbol Parameter
Min.
Max.
Unit
tTCYC
TCK Clock cycle time
100
—
ns
fTF
TCK Clock frequency
—
10
MHz
tTH
TCK Clock HIGH
40
—
ns
tTL
TCK Clock LOW
40
—
ns
tTMSS
TMS setup to TCK Clock Rise
10
—
ns
tTDIS
TDI setup to TCK Clock Rise
10
—
ns
tCS
Capture setup to TCK Rise
10
—
ns
tTMSH
TMS hold after TCK Clock Rise
10
—
ns
tTDIH
TDI Hold after Clock Rise
10
—
ns
tCH
Capture hold after Clock Rise
10
—
ns
tTDOV
TCK LOW to TDO valid
—
20
ns
tTDOX
TCK LOW to TDO invalid
0
—
ns
Notes:
1. Both tCS and tCH refer to the set-up and hold time latching data requirements from the boundary scan register.
2. Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. tR/tF = 1 ns.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ2I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-250B2 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200TQ | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ2I | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQLI | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD25636A-200TQLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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