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参数资料
| 型号： | IS61LPD25636A-200B3I |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 30/32页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | IS61LPD25636A-200B3I |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
7
Rev. B
12/13/06
IS61VPD25636A, IS61VPD51218A, IS61LPD25636A, IS61LPD51218A
ISSI
Note: * A0 and A1 are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is
desired.
165 PBGA PACKAGE PIN CONFIGURATION
512K X 18 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
12345
6
7
8
9
10
11
A
NC
A
CE
BWb
NC
CE2
BWE
ADSC
ADV
AA
B
NC
A
CE2
NC
BWa
CLK
GW
OE
ADSP
ANC
C
NC
VDDQ
Vss
VDDQ
NC
DQPa
D
NC
DQb
VDDQ
VDD
Vss
VDD
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NC
DQa
E
NC
DQb
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
NC
DQa
F
NC
DQb
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
NC
DQa
G
NC
DQb
VDDQ
VDD
Vss
VDD
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NC
DQa
H
NC
Vss
NC
VDD
Vss
VDD
NC
ZZ
J
DQb
NC
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
NC
K
DQb
NC
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
NC
L
DQb
NC
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
NC
M
DQb
NC
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
NC
N
DQPb
NC
VDDQ
Vss
NC
Vss
VDDQ
NC
P
NC
A
TDI
A1*
TDO
A
R
MODE
NC
A
TMS
A0*
TCK
A
Symbol
Pin Name
A
Address Inputs
A0, A1
Synchronous Burst Address Inputs
ADV
Synchronous Burst Address
Advance
ADSP
Address Status Processor
ADSC
Address Status Controller
GW
Global Write Enable
CLK
Synchronous Clock
CE, CE2, CE2
Synchronous Chip Select
BWx (x=a,b)
Synchronous Byte Write
Controls
Symbol
Pin Name
BWE
Byte Write Enable
OE
Output Enable
ZZ
Power Sleep Mode
MODE
Burst Sequence Selection
TCK, TDO
JTAG Pins
TMS, TDI
NC
No Connect
DQx
Data Inputs/Outputs
DQPx
Data Inputs/Outputs
VDD
3.3V/2.5V Power Supply
VDDQ
Isolated Output Power Supply
3.3V/2.5V
Vss
Ground
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ2I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200TQ | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ2I | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQLI | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD25636A-200TQLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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