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参数资料
型号： IS61LPS102418A-250B2I
厂商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类： SRAM
英文描述： 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA119
封装： 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
文件页数： 2/35页
文件大小： 369K
代理商： IS61LPS102418A-250B2I
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. N
02/12/2010
IS61VPS25672A,IS61LPS25672A
IS61VPS51236A, IS61LPS51236A, IS61VPS102418A, IS61LPS102418A
PIN CONFIGURATION
1024K x 18
PIN DESCRIPTIONS
A0, A1
Synchronous Address Inputs. These
pins must tied to the two LSBs of the
address bus.
A
Synchronous Address Inputs
ADSC
SynchronousControllerAddressStatus
ADSP
SynchronousProcessorAddressStatus
ADV
SynchronousBurstAddressAdvance
BWa-BWb
Synchronous Byte Write Enable
BWE
Synchronous Byte Write Enable
CE, CE2, CE2 Synchronous Chip Enable
CLK
Synchronous Clock
DQa-DQb
Synchronous Data Input/Output
DQPa-DQPb
Parity Data I/O; DQPa is parity for
DQa1-8; DQPb is parity for DQb1-8
GW
Synchronous Global Write Enable
MODE
Burst Sequence Mode Selection
OE
Output Enable
VDD
3.3V/2.5V Power Supply
VDDQ
Isolated Output Buffer Supply:
3.3V/2.5V
Vss
Ground
ZZ
Snooze Enable
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQPa
DQa
VSS
VDDQ
DQa
VSS
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
VSS
DQa
NC
VSS
VDDQ
NC
A
CE CE2 NC NC BWb BWa CE2 VDD VSS CLK GW BWE OE ADSC ADSP ADV A A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQb
VSS
VDDQ
DQb
NC
VDD
NC
VSS
DQb
VDDQ
VSS
DQb
DQPb
NC
VSS
VDDQ
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
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67
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63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
MODE
A
A1
A0
NC
VSS
VDD
A
46 47 48 49 50
100-PIN TQFP
相关PDF资料
PDF描述
IS61LPS102418A-250B3 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS102418A-250B3I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS102418A-250TQ 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS102418A-250TQI 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS25672A-250B1 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
相关代理商/技术参数
参数描述
IS61LPS102418A-250B3 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250B3I 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250B3I-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250B3-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250TQ 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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