参数资料
型号: IS61LPS102418A-250B2I
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: SRAM
英文描述: 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述: 1M X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA119
封装: 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
文件页数: 30/35页
文件大小: 369K
代理商: IS61LPS102418A-250B2I
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. N
02/12/2010
IS61VPS25672A,IS61LPS25672A
IS61VPS51236A, IS61LPS51236A, IS61VPS102418A, IS61LPS102418A
PIN CONFIGURATION — 256K X 72, 209-Ball PBGA (TOP VIEW)
12
34
56
78
9
10
11
A
DQg
A
CE2
ADSP
ADSC
ADV
CE2
A
DQb
B
DQg
BWc
BWgNC
BWE
A
BWb
BWf
DQb
C
DQg
BWh
BWdNC
CE
NC
BWe
BWa
DQb
D
DQg
VSS
NC
OE
GW
NC
VSS
DQb
E
DQPg
DQPc
VDDQ
VDD
VDDQ
DQPf
DQPb
F
DQc
VSS
NC
VSS
DQf
G
DQc
VDDQ
VDD
NC
VDD
VDDQ
DQf
H
DQc
VSS
NC
VSS
DQf
J
DQc
VDDQ
VDD
NC
VDD
VDDQ
DQf
K
NC
CLK
NC
VSS
NC
VSS
NC
L
DQh
VDDQ
VDD
NC
VDD
VDDQ
DQa
M
DQh
VSS
NC
VSS
DQa
N
DQh
VDDQ
VDD
NC
VDD
VDDQ
DQa
P
DQh
VSS
ZZ
VSS
DQa
R
DQPd
DQPh
VDDQ
VDD
VDDQ
DQPa
DQPe
T
DQd
VSS
NC
MODE
NC
VSS
DQe
U
DQd
NC
A
NC
DQe
V
DQd
A
A1
A
DQe
W
DQd
TMS
TDI
A
A0
A
TDO
TCK
DQe
11 x 19 Ball BGA—14 x 22 mm2 Body—1 mm Ball Pitch
PIN DESCRIPTIONS
Symbol
Pin Name
A
Address Inputs
A0, A1
Synchronous Burst Address Inputs
ADV
Synchronous Burst Address
Advance
ADSP
Address Status Processor
ADSC
Address Status Controller
GW
Global Write Enable
CLK
Synchronous Clock
CE, CE2, CE2
Synchronous Chip Select
BWx (x=a,b,c,d
Synchronous Byte Write
e,f,g,h)
Controls
Symbol
Pin Name
BWE
Byte Write Enable
OE
Output Enable
ZZ
Power Sleep Mode
MODE
Burst Sequence Selection
TCK, TDO
JTAG Pins
TMS, TDI
NC
No Connect
DQx
Data Inputs/Outputs
DQPx
Data Inputs/Outputs
VDD
3.3V/2.5V Power Supply
VDDQ
Isolated Output Power Supply
3.3V
/2.5V
Vss
Ground
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PDF描述
IS61LPS102418A-250B3 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS102418A-250B3I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS102418A-250TQ 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
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参数描述
IS61LPS102418A-250B3 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250B3I 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250B3I-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250B3-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250TQ 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray