参数资料
型号: IS61VF102436A-6.5B3I
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: SRAM
英文描述: 1M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封装: 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165
文件页数: 15/20页
文件大小: 386K
代理商: IS61VF102436A-6.5B3I
4
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. B
04/17/08
IS61LF102436A IS61LF204818A
IS61VF102436A IS61VF204818A
Note: * A0 and A1arethetwoleastsignificantbits(LSB)oftheaddressfieldandsettheinternalburstcounterifburstisdesired.
(UnderEvaluation)
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A
NC
A
CE
BWc
BWb
CE2
BWE
ADSC
ADV
A
NC
B
NC
A
CE2
BWd
BWa
CLK
GW
OE
ADSP
A
NC
C
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NC
Vddq
Vss
Vddq
Nc
DQPb
D
DQc
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
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DQb
E
DQc
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
DQb
F
DQc
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
DQb
G
DQc
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
DQb
H
NC
Vdd
Vss
Vdd
Nc
ZZ
J
DQd
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
dqa
K
DQd
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
dqa
L
DQd
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
dqa
M
DQd
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
dqa
N
DQPd
NC
Vddq
Vss
NC
A
NC
Vss
Vddq
NCDQPa
P
NC
A
NC
A1*
NC
A
R
MODE
A
NC
A0*
NC
A
165 PBGA PACKAGE PIN CONFIGURATION
1M x 36 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
Symbol
Pin Name
A
Address Inputs
A0, A1
SynchronousBurstAddress
Inputs
ADV
SynchronousBurstAddress
Advance.
ADSP
AddressStatusProcessor
ADSC
Address Status Controller
GW
GlobalWriteEnable
CLK
Synchronous Clock
CE
, CE2, CE2
Synchronous Chip Select
BW
x(x=a,b,c,d) SynchronousByteWrite
Controls
Symbol
Pin Name
BWE
ByteWriteEnable
OE
OutputEnable
ZZ
PowerSleepMode
MODE
BurstSequenceSelection
NC
No Connect
DQa-DQd
DataInputs/Outputs
DQPa-Pd
DataInputs/Outputs
Vdd
PowerSupply
Vddq
OutputPowerSupply
vss
Ground
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IS61VF51236A-6.5B3 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VF51236A-6.5B3I 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VF51236A-6.5B3I-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VF51236A-6.5B3-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VF51236A-6.5TQ 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray