- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录296250 > IS61VF102436A-6.5B3I (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 1M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IS61VF102436A-6.5B3I |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 2/20页 |
| 文件大小： | 386K |
| 代理商： | IS61VF102436A-6.5B3I |
10
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. B
04/17/08
IS61LF102436A IS61LF204818A
IS61VF102436A IS61VF204818A
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS(1) (OverOperatingRange)
6.5
7.5
MAX
Symbol Parameter
Test Conditions
Temp. range
x18
x36
x18
x36
Unit
Icc
ACOperating
DeviceSelected,
Com.
360
340 340
mA
Supply Current
OE
= VIh, ZZ ≤ VIl,
Ind.
375
350 350
All Inputs ≤ 0.2V or ≥ Vdd – 0.2V, typ.(2)
295
Cycle Time ≥ tkc min.
Isb
StandbyCurrent
DeviceDeselected,
Com.
155
mA
TTL Input
Vdd = Max.,
Ind.
160
160 160
All Inputs ≤ VIl or ≥ VIh,
ZZ ≤ VIl, f=Max.
IsbI
StandbyCurrent
DeviceDeselected,
Com.
140
mA
cMOs Input
Vdd = Max.,
Ind.
145
145 145
VIN ≤ Vss +0.2vor≥Vdd – 0.2V
typ.(2)
80
f = 0
Note:
1. MODEpinhasaninternalpullupandshouldbetiedtovdd or Vss. It exhibits ±100 A maximum leakage current when tied to ≤
Vss+0.2vor≥ Vdd – 0.2V.
2.Typicalvaluesaremeasuredatvcc=3.3v,TA=25oC and not 100% tested.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (OverOperatingRange)
3.3V
2.5V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
VOh
OutputHIGHvoltage
IOh = –4.0 mA (3.3V)
2.4
—
2.0
—
V
IOh = –1.0 mA (2.5V)
VOl
OutputLOWvoltage
IOl = 8.0 mA (3.3V)
—
0.4
—
0.4
V
IOl = 1.0 mA (2.5V)
VIh
InputHIGHvoltage
2.0
Vdd + 0.3
1.7
Vdd + 0.3
V
VIl
InputLOWvoltage
–0.3
0.8
–0.3
0.7
V
IlI
Input Leakage Current
Vss ≤ VIN ≤ Vdd(1)
–5
5
–5
5
A
IlO
OutputLeakageCurrent
Vss ≤ VOuT ≤ Vddq, OE = VIh
–5
5
–5
5
A
OPERATING RANGE (IS61LFxxxxx)
Range
Ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
3.3v±5%
3.3v/2.5v±5%
Industrial
-40°Cto+85°C
3.3v±5%
3.3v/2.5v±5%
OPERATING RANGE (IS61VFxxxxx)
Range
Ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
2.5v±5%
Industrial
-40°Cto+85°C
2.5v±5%
Note:
1. VIl (min.) = –2.0V AC (pulse width 2.0 ns). Not 100% tested.
VIh (max.) = Vdd +2.0V Ac (pulse width 2.0 ns). Not 100% tested.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62LV25616LL-70TI | x16 SRAM |
| IS62LV25616LL-85B | x16 SRAM |
| IS62LV25616LL-85BI | x16 SRAM |
| IS62LV25616LL-85M | x16 SRAM |
| IS62LV25616LL-85MI | x16 SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61VF51236A-6.5B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF51236A-6.5B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF51236A-6.5B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF51236A-6.5B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF51236A-6.5TQ | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。