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参数资料
| 型号： | ISL2110AR4Z-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 12-DFN |
| 标准包装： | 6,000 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 38ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 8 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 12-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 12-DFN-EP（4x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL2110, ISL2111
Pin Descriptions
SYMBOL
V DD
HB
HO
HS
HI
LI
V SS
LO
NC
EPAD
DESCRIPTION
Positive supply to lower gate driver. Bypass this pin to V SS .
High-side bootstrap supply. External bootstrap capacitor is required. Connect positive side of bootstrap capacitor to this pin.
Bootstrap diode is on-chip.
High-side output. Connect to gate of high-side power MOSFET.
High-side source connection. Connect to source of high-side power MOSFET. Connect negative side of bootstrap capacitor to this
pin.
High-side input.
Low-side input.
Chip negative supply, which will generally be ground.
Low-side output. Connect to gate of low-side power MOSFET.
No Connect.
Exposed pad. Connect to ground or float. The EPAD is electrically isolated from all other pins.
Timing Diagrams
LI
HI , LI
HI
t HPLH ,
t LPLH
t HPHL ,
t LPHL
LO
HO , LO
HO
t MON
t MOFF
FIGURE 3. PROPAGATION DELAYS
Typical Performance Curves
10.0
10.0
FIGURE 4. DELAY MATCHING
T = -40°C
T = -40°C
T = +25°C
1.0
T = +25°C
T = +125°C
1.0
T = +150°C
T = +125°C
0.1
10k
T = +150°C
100k
1 . 10 3 k
0.1
10k
100k
1 . 10 3 k
FREQUENCY (Hz)
FIGURE 5. ISL2110 I DD OPERATING CURRENT vs
FREQUENCY
6
FREQUENCY (Hz)
FIGURE 6. ISL2111 I DD OPERATING CURRENT vs
FREQUENCY
FN6295.6
March 8, 2012
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ISL2111AR4Z-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 12LD 4X4 TTL INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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